Name: IXFT100N30X3HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFT100N30X3HV-ND
Price: 3452.9 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 4mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 122 nC @ 10 V
シリーズ HiPerFET™, Ultra X3	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 7660 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 480W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 300 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-268HV（IXFT）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Tc）	パッケージ/ケース TO-268-3、D3PAK（2リード + タブ）、TO-268AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXFT100
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 13.5ミリオーム @ 50A、10V