IXFN75N120SK IXYS | シングルFET、MOSFET

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 27ミリオーム @ 50A、15V
メーカー IXYS	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.6V @ 18mA
梱包形態チューブ	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 158 nC @ 15 V
部品状況生産中止品	Vgs（最大） +15V、-4V
FETタイプ Nチャンネル	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4820 pF @ 1000 V
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプシャーシマウント
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 75A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V	パッケージ/ケース SOT-227-4、miniBLOC

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

関連リソース

在庫：182個

追加の入荷予定数量を確認

この製品はもう製造されていないため、在庫切れになったときに在庫が積み増されることはありません。

数量

価格はすべてJPYです

チューブ

メーカーの標準パッケージ

注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥15,504.00000
単価（消費税込み）:	¥17,054.40000

IXFN75N120SK