Name: SPW11N80C3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPW11N80C3FKSA1-ND
Price: 931.7 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 680µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 85 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1600 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 156W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SPW11N80
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 450ミリオーム @ 7.1A、10V

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代替品リスト（10）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPW80R360P7XKSA1	Infineon Technologies	711	IPW80R360P7XKSA1-ND	¥809.00000	メーカー推奨品
APT11N80BC3G	Microchip Technology	88	APT11N80BC3G-ND	¥751.00000	類似
IXFH14N60P	IXYS	0	IXFH14N60P-ND	¥1,338.00000	類似
IXFH16N80P	IXYS	477	IXFH16N80P-ND	¥2,003.00000	類似
IXFH20N80P	IXYS	0	IXFH20N80P-ND	¥2,208.00000	類似

在庫：518個

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