Name: SPP11N80C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP11N80C3XKSA1-ND
Price: 705.1 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 680µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 85 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1600 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 156W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SPP11N80
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 450ミリオーム @ 7.1A、10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IRF830APBF	Vishay Siliconix	1,718	IRF830APBF-ND	¥4,739.00000	類似
IRFBC30APBF	Vishay Siliconix	732	IRFBC30APBF-ND	¥6,115.00000	類似
STP10N60M2	STMicroelectronics	400	497-13970-5-ND	¥3,302.00000	類似
STP11NM80	STMicroelectronics	970	497-4369-5-ND	¥11,237.00000	類似
STP13N80K5	STMicroelectronics	1,514	497-13779-5-ND	¥6,620.00000	類似

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