SPI42N03S2L-13 Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 37µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 30.5 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1130 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 83W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 42A（Tc）	パッケージ/ケース TO-262-3長リード、I2PAK、TO-262AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SPI42N
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 12.9ミリオーム @ 21A、10V

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SPI42N03S2L-13