Name: SPD06N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD06N80C3ATMA1TR-ND
Price: 451 JPY
Availability: InStock

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SPD06N80C3ATMA1
DigiKey製品番号	SPD06N80C3ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） SPD06N80C3ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） SPD06N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	SPD06N80C3ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 800 V 6A（Ta） 83W（Tc）面実装 PG-TO252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SPD06N80C3ATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 41 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 785 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 83W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 6A（Ta）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SPD06N80
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 900ミリオーム @ 3.8A、10V

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関連リソース

代替品リスト（3）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FCD4N60TM	onsemi	3,396	FCD4N60TMCT-ND	¥434.00000	類似
FCD850N80Z	onsemi	17,987	488-FCD850N80ZCT-ND	¥593.00000	類似
STD7ANM60N	STMicroelectronics	192	497-13940-1-ND	¥391.00000	類似