Name: SPB21N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB21N50C3ATMA1TR-ND
Price: 1019.7 JPY
Availability: InStock

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SPB21N50C3ATMA1
DigiKey製品番号	SPB21N50C3ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） SPB21N50C3ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） SPB21N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	SPB21N50C3ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
メーカーの標準リードタイム	19 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 560 V 21A（Tc） 208W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SPB21N50C3ATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 1mA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 95 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2400 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 208W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 560 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 21A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SPB21N50
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 190ミリオーム @ 13.1A、10V

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テープ＆リール（TR）

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥927.00000
単価（消費税込み）:	¥1,019.70000

SPB21N50C3ATMA1