Name: SPB11N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB11N60C3ATMA1TR-ND
Price: 817.3 JPY
Availability: InStock

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SPB11N60C3ATMA1
DigiKey製品番号	SPB11N60C3ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） SPB11N60C3ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） SPB11N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	SPB11N60C3ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 11A（Tc） 125W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SPB11N60C3ATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 500µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 60 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1200 pF @ 25 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 125W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SPB11N60
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 380ミリオーム @ 7A、10V

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関連リソース

代替品リスト（7）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPB60R360P7ATMA1	Infineon Technologies	1,888	IPB60R360P7ATMA1CT-ND	¥372.00000	類似
FCB11N60TM	onsemi	988	FCB11N60TMCT-ND	¥813.00000	類似
IXTA14N60P	IXYS	189	IXTA14N60P-ND	¥1,138.00000	類似
R6011KNJTL	Rohm Semiconductor	0	R6011KNJTLCT-ND	¥547.00000	類似
STB13N60M2	STMicroelectronics	8,039	497-13828-1-ND	¥509.00000	類似