Name: ISP16DP10LMXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISP16DP10LMXTSA1TR-ND
Price: 160.6 JPY
Availability: InStock

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ISP16DP10LMXTSA1
DigiKey製品番号	448-ISP16DP10LMXTSA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-ISP16DP10LMXTSA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-ISP16DP10LMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	ISP16DP10LMXTSA1
商品概要	SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
メーカーの標準リードタイム	29 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 100 V 2.1A（Ta）、3.9A（Tc） 1.8W（Ta）、5W（Tc）面実装 PG-SOT223-4
データシート	データシート
EDA/CADモデル	ISP16DP10LMXTSA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	2.1A（Ta）、3.9A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	160ミリオーム @ 2.2A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 1.037mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	42 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2100 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.8W（Ta）、5W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-SOT223-4
パッケージ/ケース	TO-261-4、TO-261AA
ベース品番	ISP16D