Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 1279.3 JPY
Availability: OutOfStock

MOSFET - アレイ 100V 19A（Ta）、139A（Tc） 3W（Ta）、167W（Tc）面実装 PG-WHITFN-10-1

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

ISG0616N10NM5HSCATMA1
DigiKey製品番号	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	ISG0616N10NM5HSCATMA1
商品概要	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
メーカーの標準リードタイム	48 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 100V 19A（Ta）、139A（Tc） 3W（Ta）、167W（Tc）面実装 PG-WHITFN-10-1
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4ミリオーム @ 50A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.8V @ 85µA
シリーズ OptiMOS™ 5	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 78nC @ 10V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4800pF @ 50V
部品状況アクティブ	電力 - 最大 3W（Ta）、167W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
構成 Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100V	パッケージ/ケース 10-PowerWDFN
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 19A（Ta）、139A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-WHITFN-10-1