MOSFET - アレイ 60V 31A（Ta）、233A（Tc） 3W（Ta）、167W（Tc） 面実装 PG-WHITFN-10-1
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タシートを参照ください。
MOSFET - アレイ 60V 31A（Ta）、233A（Tc） 3W（Ta）、167W（Tc） 面実装 PG-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0614N06NM5HSCATMA1

DigiKey製品番号
448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR）
448-ISG0614N06NM5HSCATMA1CT-ND - カット テープ（CT）
448-ISG0614N06NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー
Infineon Technologies
メーカー製品番号
ISG0614N06NM5HSCATMA1
商品概要
MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
メーカーの標準リードタイム
25 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 60V 31A（Ta）、233A（Tc） 3W（Ta）、167W（Tc） 面実装 PG-WHITFN-10-1
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
ISG0614N06NM5HSCATMA1 モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Infineon Technologies
シリーズ
OptiMOS™ 5
梱包形態
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
部品状況
アクティブ
技術
MOSFET（金属酸化物）
構成
Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
FET機能
-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
31A（Ta）、233A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
1.6ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
3.3V @ 86µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
102nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
6400pF @ 30V
電力 - 最大
3W（Ta）、167W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
パッケージ/ケース
10-PowerWDFN
サプライヤデバイスパッケージ
PG-WHITFN-10-1
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カット テープ（CT） & Digi-Reel®
数量 単価 請求価格
1¥929.00000¥929
10¥618.20000¥6,182
100¥441.90000¥44,190
500¥399.95600¥199,978
*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金（¥800）が追加されます。
テープ＆リール（TR）
数量 単価 請求価格
3,000¥326.76233¥980,287
メーカーの標準パッケージ
単価（消費税抜き）:¥929.00000
単価（消費税込み）:¥1,021.90000
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