MOSFET - アレイ 40V 42A(Ta)、299A(Tc) 3W(Ta)、167W(Tc) 面実装 PG-WHITFN-10-1
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MOSFET - アレイ 40V 42A(Ta)、299A(Tc) 3W(Ta)、167W(Tc) 面実装 PG-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0613N04NM6HSCATMA1

DigiKey製品番号
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - テープ&リール(TR)
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - カット テープ(CT)
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー
メーカー製品番号
ISG0613N04NM6HSCATMA1
商品概要
MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
メーカーの標準リードタイム
48 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 40V 42A(Ta)、299A(Tc) 3W(Ta)、167W(Tc) 面実装 PG-WHITFN-10-1
データシート
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製品属性
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カテゴリ
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
0.88ミリオーム @ 50A、10V
メーカー
Infineon Technologies
Id印加時のVgs(th)(最大)
2.8V @ 780µA
シリーズ
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
104nC @ 10V
梱包形態
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
6200pF @ 20V
部品状況
アクティブ
電力 - 最大
3W(Ta)、167W(Tc)
技術
MOSFET(金属酸化物)
動作温度
-55°C~175°C(TJ)
構成
Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)
取り付けタイプ
面実装
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
40V
パッケージ/ケース
10-PowerWDFN
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
42A(Ta)、299A(Tc)
サプライヤデバイスパッケージ
PG-WHITFN-10-1
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
関連リソース
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カット テープ(CT) & Digi-Reel®
数量 単価 請求価格
1¥972.00000¥972
10¥643.30000¥6,433
100¥456.66000¥45,666
500¥377.02000¥188,510
1,000¥351.44700¥351,447
*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金(¥800)が追加されます。
テープ&リール(TR)
数量 単価 請求価格
3,000¥319.01700¥957,051
メーカーの標準パッケージ
単価(消費税抜き):¥972.00000
単価(消費税込み):¥1,069.20000