IRFS7730-7PPBF Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2ミリオーム @ 100A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.7V @ 250µA
シリーズ StrongIRFET™	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 428 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況 DigiKeyでは取扱い終了	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 13970 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 375W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 75 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 240A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ D2PAK（7-Lead）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	パッケージ/ケース TO-263-7、D2PAK（6リード + タブ）、TO-263CB