IRFS4228PBF Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 15ミリオーム @ 33A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
シリーズ HEXFET®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 107 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±30V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4530 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 330W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -40°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 150 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 83A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB

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代替品リスト（1）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FDB2532	onsemi	540	FDB2532CT-ND	¥944.00000	類似

在庫：4個

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この製品はもう製造されていないため、在庫切れになったときに在庫が積み増されることはありません。代替品または代替の梱包形態を表示します。

数量

価格はすべてJPYです

チューブ

数量	単価	請求価格
1	¥1,176.00000	¥1,176

注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥1,176.00000
単価（消費税込み）:	¥1,293.60000

IRFS4228PBF