IRFR3607PBF Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9ミリオーム @ 46A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 100µA
シリーズ HEXFET®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 84 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況 DigiKeyでは取扱い終了	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3070 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 140W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 75 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 56A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA (DPAK)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63