カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 44 nC @ 10 V
シリーズ HEXFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1380 pF @ 25 V
部品状況 DigiKeyでは取扱い終了	電力散逸（最大） 110W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 55 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 42A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA (DPAK)
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 14.5ミリオーム @ 36A、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
DMNH6012LK3Q-13	Diodes Incorporated	4,352	DMNH6012LK3Q-13DICT-ND	¥327.00000	類似
FDD13AN06A0	onsemi	85	FDD13AN06A0CT-ND	¥452.00000	類似
STD60NF55LAT4	STMicroelectronics	29,990	497-18737-1-ND	¥352.00000	類似
STD60NF55LT4	STMicroelectronics	3,572	497-15669-1-ND	¥334.00000	類似
STD70N6F3	STMicroelectronics	2,197	497-12240-1-ND	¥497.00000	類似

IRFR2905ZPBF