Name: IRFP4229PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFP4229PBFXKMA1-ND
Price: 996.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±30V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4560 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 310W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -40°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 250 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 44A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247AC
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 46ミリオーム @ 26A、10V

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単価（消費税抜き）:	¥906.00000
単価（消費税込み）:	¥996.60000

IRFP4229PBFXKMA1