Name: IRFHM3911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFHM3911TRPBFTR-ND
Price: 190.3 JPY
Availability: InStock

IRFHM3911TRPBF
DigiKey製品番号	448-IRFHM3911TRPBFTR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IRFHM3911TRPBFCT-ND - カットテープ（CT） 448-IRFHM3911TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IRFHM3911TRPBF
商品概要	MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
メーカーの標準リードタイム	35 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 3.2A（Ta）、20A（Tc） 2.8W（Ta）、29W（Tc）面実装 8-PQFN（3x3）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IRFHM3911TRPBF モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	HEXFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	3.2A（Ta）、20A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	115リオーム @ 6.3A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 35µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	26 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	760 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.8W（Ta）、29W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-PQFN（3x3）
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	IRFHM3911

単価（消費税抜き）:	¥173.00000
単価（消費税込み）:	¥190.30000

IRFHM3911TRPBF