Name: IRFH5301TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5301TRPBFTR-ND
Price: 348.7 JPY
Availability: InStock

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IRFH5301TRPBF
DigiKey製品番号	IRFH5301TRPBFTR-ND - テープ＆リール（TR） IRFH5301TRPBFCT-ND - カットテープ（CT） IRFH5301TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IRFH5301TRPBF
商品概要	MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 35A（Ta）、100A（Tc） 3.6W（Ta）、110W（Tc）面実装 PQFN（5x6）シングルダイ
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IRFH5301TRPBF モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.35V @ 100µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 77 nC @ 10 V
シリーズ HEXFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5114 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.6W（Ta）、110W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ PQFN（5x6）シングルダイ
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 35A（Ta）、100A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 IRFH5301
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.85ミリオーム @ 50A、10V