Name: IRFH5020TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5020TRPBFTR-ND
Price: 456.5 JPY
Availability: InStock

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IRFH5020TRPBF
DigiKey製品番号	IRFH5020TRPBFTR-ND - テープ＆リール（TR） IRFH5020TRPBFCT-ND - カットテープ（CT） IRFH5020TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IRFH5020TRPBF
商品概要	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 200 V 5.1A（Ta） 3.6W（Ta）、8.3W（Tc）面実装 8-PQFN（5x6）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IRFH5020TRPBF モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 150µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 54 nC @ 10 V
シリーズ HEXFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2290 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 3.6W（Ta）、8.3W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 200 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN（5x6）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 5.1A（Ta）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IRFH5020
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 55ミリオーム @ 7.5A、10V