IRF8313PBF Infineon Technologies | FET、MOSFETアレイ

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.35V @ 25µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 90nC @ 4.5V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 760pF @ 15V
部品状況 DigiKeyでは取扱い終了	電力 - 最大 2W
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
構成 2 Nチャンネル（デュアル）	取り付けタイプ面実装
FET機能論理レベルゲート	パッケージ/ケース 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30V	サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 9.7A	ベース品番 IRF8313
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 15.5ミリオーム @ 9.7A、10V

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IRF8313PBF