IRF7665S2TR1PBF Infineon Technologies | ディスクリート半導体製品

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タシートを参照ください。

IRF7665S2TR1PBF
DigiKey製品番号	IRF7665S2TR1PBFTR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IRF7665S2TR1PBF
商品概要	MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 4.1A（Ta）、14.4A（Tc） 2.4W（Ta）、30W（Tc）面実装 DIRECTFET SB
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	4.1A（Ta）、14.4A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	62ミリオーム @ 8.9A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5V @ 25µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	13 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	515 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.4W（Ta）、30W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	DIRECTFET SB
パッケージ/ケース	DirectFET™アイソメトリックSB