IRF7478PBF Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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購入可能な代替品:

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Diodes Incorporated

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在庫あり: 1,271

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在庫あり: 3,374

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 26ミリオーム @ 4.2A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
シリーズ HEXFET®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 31 nC @ 4.5 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況 DigiKeyでは取扱い終了	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1740 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 7A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）

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環境および輸出に関する分類

IRF7478PBF

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
DMT6016LSS-13	Diodes Incorporated	0	DMT6016LSS-13DICT-ND	¥193.00000	類似
FDS3572	onsemi	1,271	FDS3572CT-ND	¥427.00000	類似
STS7NF60L	STMicroelectronics	3,374	497-4757-1-ND	¥474.00000	類似