IRF7460TRPBF Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 10ミリオーム @ 12A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
シリーズ HEXFET®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 19 nC @ 4.5 V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vgs（最大） ±20V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2050 pF @ 10 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）

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