Name: IRF530NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF530NSTRLPBFTR-ND
Price: 493.9 JPY
Availability: InStock

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IRF530NSTRLPBF
DigiKey製品番号	IRF530NSTRLPBFTR-ND - テープ＆リール（TR） IRF530NSTRLPBFCT-ND - カットテープ（CT） IRF530NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IRF530NSTRLPBF
商品概要	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	35 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 17A（Tc） 3.8W（Ta）、70W（Tc）面実装 D2PAK
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IRF530NSTRLPBF モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 37 nC @ 10 V
シリーズ HEXFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 920 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.8W（Ta）、70W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 17A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IRF530
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 90ミリオーム @ 9A、10V