IRF5305STRR は生産中止品です。現在は生産されていません。
購入可能な代替品:

パラメータ等価

IRF5305STRLPBF
Infineon Technologies
在庫あり: 21,945
単価 : ¥453.00000
データシート

類似

FQB34P10TM
onsemi
在庫あり: 2,294
単価 : ¥650.00000
データシート

類似

IXTA52P10P
IXYS
在庫あり: 3,071
単価 : ¥1,332.00000
データシート
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Pチャンネル 55 V 31A（Tc） 3.8W（Ta）、110W（Tc） 面実装 D2PAK
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IRF5305STRR

DigiKey製品番号
IRF5305STRR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー
Infineon Technologies
メーカー製品番号
IRF5305STRR
商品概要
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
客先参照品番
詳細な説明
Pチャンネル 55 V 31A（Tc） 3.8W（Ta）、110W（Tc） 面実装 D2PAK
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Infineon Technologies
シリーズ
HEXFET®
梱包形態
テープ＆リール（TR）
部品状況
生産中止品
FETタイプ
Pチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
55 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
31A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
60ミリオーム @ 16A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
63 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
1200 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
3.8W（Ta）、110W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
D2PAK
パッケージ/ケース
TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番
IRF5305
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生産中止品
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