Name: IRF5210STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210STRLPBFTR-ND
Price: 775.5 JPY
Availability: InStock

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IRF5210STRLPBF
DigiKey製品番号	IRF5210STRLPBFTR-ND - テープ＆リール（TR） IRF5210STRLPBFCT-ND - カットテープ（CT） IRF5210STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IRF5210STRLPBF
商品概要	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	36 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 100 V 38A（Tc） 3.1W（Ta）、170W（Tc）面実装 D2PAK
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IRF5210STRLPBF モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 230 nC @ 10 V
シリーズ HEXFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2780 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.1W（Ta）、170W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 38A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IRF5210
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 60ミリオーム @ 38A、10V