Name: IRF3205ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3205ZPBF-ND
Price: 411.4 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 10 V
シリーズ HEXFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3450 pF @ 25 V
部品状況購入可能最終日あり	電力散逸（最大） 170W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 55 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 75A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IRF3205
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6.5ミリオーム @ 66A、10V

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関連リソース

代替品リスト（10）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IRF3205ZPBFXKMA1	Infineon Technologies	892	448-IRF3205ZPBFXKMA1-ND	¥401.00000	メーカー推奨品
IRFB3306PBF	Infineon Technologies	3,850	448-IRFB3306PBF-ND	¥454.00000	類似
DMT6005LCT	Diodes Incorporated	0	DMT6005LCT-ND	¥199.16000	類似
HUF75344P3	onsemi	527	HUF75344P3FS-ND	¥660.00000	類似
HUF75345P3	onsemi	4,573	HUF75345P3-ND	¥592.00000	類似