IRF300P227 Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 270µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 107 nC @ 10 V
シリーズ StrongIRFET™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4893 pF @ 50 V
部品状況 DigiKeyでは取扱い終了	電力散逸（最大） 313W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 300 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 50A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IRF300
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 40ミリオーム @ 30A、10V