Nチャンネル 55 V 169A（Tc） 330W（Tc） スルーホール TO-220AB
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IRF1405PBF

DigiKey製品番号
IRF1405PBF-ND
メーカー
Infineon Technologies
メーカー製品番号
IRF1405PBF
商品概要
MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
メーカーの標準リードタイム
35 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 55 V 169A（Tc） 330W（Tc） スルーホール TO-220AB
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
IRF1405PBF モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Infineon Technologies
シリーズ
HEXFET®
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
55 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
169A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
5.3ミリオーム @ 101A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
260 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
5480 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
330W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3
ベース品番
IRF1405
製品に関する質問と回答

エンジニアによる質問をチェックしたり、質問の投稿や知識を共有したりして、DigiKeyのエンジニアリングコミュニティを活用してみましょう

在庫：11,701個
追加の入荷予定数量を確認
数量
価格はすべてJPYです
チューブ
数量 単価 請求価格
1¥570.00000¥570
50¥284.54000¥14,227
100¥256.89000¥25,689
500¥208.41600¥104,208
1,000¥192.84000¥192,840
2,000¥179.74900¥359,498
5,000¥166.41420¥832,071
メーカーの標準パッケージ
注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価（消費税抜き）:¥570.00000
単価（消費税込み）:¥627.00000
6 品目
IRS21867STRPBF

IRS21867STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

¥334.00000
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

¥118.00000
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

¥184.00000
2EDF7275KXUMA1

2EDF7275KXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDG TFLGA-13

Infineon Technologies

¥377.00000
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

¥91.00000
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

¥155.00000
こちらもご覧ください
1 品目
IRF3205PBF

IRF3205PBF

MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB

Infineon Technologies

¥391.00000