Name: IQE050N08NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5SCATMA1TR-ND
Price: 654.5 JPY
Availability: InStock

IQE050N08NM5SCATMA1
DigiKey製品番号	448-IQE050N08NM5SCATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IQE050N08NM5SCATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IQE050N08NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IQE050N08NM5SCATMA1
商品概要	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 16A（Ta）、99A（Tc） 2.5W（Ta）、100W（Tc）面実装 PG-WHSON-8-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IQE050N08NM5SCATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 5
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	16A（Ta）、99A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	5ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.8V @ 49µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	44 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2900 pF @ 40 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.5W（Ta）、100W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-WHSON-8-1
パッケージ/ケース	8-PowerWDFN

単価（消費税抜き）:	¥595.00000
単価（消費税込み）:	¥654.50000

IQE050N08NM5SCATMA1