Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 789.8 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IQDH29NE2LM5SCATMA1
DigiKey製品番号	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IQDH29NE2LM5SCATMA1
商品概要	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 75A（Ta）、789A（Tc） 2.5W（Ta）、278W（Tc）面実装 PG-WHSON-8-U02
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IQDH29NE2LM5SCATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 5
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	25 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	75A（Ta）、789A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	0.29ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 1.448mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	110 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±16V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	17000 pF @ 12 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.5W（Ta）、278W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-WHSON-8-U02
パッケージ/ケース	8-PowerWDFN