Name: IQD016N08NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD016N08NM5SCATMA1TR-ND
Price: 1329.9 JPY
Availability: InStock

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IQD016N08NM5SCATMA1
DigiKey製品番号	448-IQD016N08NM5SCATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IQD016N08NM5SCATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IQD016N08NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IQD016N08NM5SCATMA1
商品概要	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 31A（Ta）、323A（Tc） 3W（Ta）、333W（Tc）面実装 PG-WHSON-8-U02
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IQD016N08NM5SCATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.57ミリオーム @ 50A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.8V @ 159µA
シリーズ OptiMOS™ 5	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 133 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 9200 pF @ 40 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 3W（Ta）、333W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 31A（Ta）、323A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-WHSON-8-U02
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerWDFN