Name: IPW65R190CFDFKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R190CFDFKSA2-ND
Price: 975.7 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 700µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 68 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ CFD2	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1850 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 151W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-41
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 17.5A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPW65R190
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 190ミリオーム @ 7.3A、10V

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