IPW65R110CFDFKSA1 は生産中止品です。現在は生産されていません。
購入可能な代替品:

パラメータ等価


Infineon Technologies
在庫あり: 190
単価 : ¥1,165.00000
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類似


onsemi
在庫あり: 360
単価 : ¥1,527.00000
データシート

類似


onsemi
在庫あり: 262
単価 : ¥1,368.00000
データシート

類似


Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥1,438.00000
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類似


STMicroelectronics
在庫あり: 600
単価 : ¥1,125.00000
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類似


STMicroelectronics
在庫あり: 0
単価 : ¥877.00000
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類似


STMicroelectronics
在庫あり: 458
単価 : ¥1,075.00000
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類似


STMicroelectronics
在庫あり: 0
単価 : ¥1,265.00000
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Nチャンネル 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) スルーホール PG-TO247-3-1
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IPW65R110CFDFKSA1

DigiKey製品番号
448-IPW65R110CFDFKSA1-ND
メーカー
メーカー製品番号
IPW65R110CFDFKSA1
商品概要
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) スルーホール PG-TO247-3-1
データシート
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製品属性
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カテゴリ
Id印加時のVgs(th)(最大)
4.5V @ 1.3mA
メーカー
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
118 nC @ 10 V
シリーズ
Vgs(最大)
±20V
梱包形態
チューブ
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
3240 pF @ 100 V
部品状況
生産中止品
電力散逸(最大)
277.8W(Tc)
FETタイプ
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
技術
取り付けタイプ
スルーホール
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
650 V
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO247-3-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
パッケージ/ケース
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
ベース品番
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
110ミリオーム @ 12.7A、10V
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
関連リソース
代替品リスト(8)
品番メーカー 在庫数量DigiKey製品番号 単価 代替品のタイプ
IPW65R110CFDFKSA2Infineon Technologies190448-IPW65R110CFDFKSA2-ND¥1,165.00000パラメータ等価
FCH110N65F-F155onsemi360FCH110N65F-F155-ND¥1,527.00000類似
FCH150N65F-F155onsemi262FCH150N65F-F155-ND¥1,368.00000類似
SIHG33N65EF-GE3Vishay Siliconix0SIHG33N65EF-GE3-ND¥1,438.00000類似
STW30N65M5STMicroelectronics600497-10655-5-ND¥1,125.00000類似
生産中止品
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