Name: IPU80R2K0P7AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPU80R2K0P7AKMA1-ND
Price: 256.3 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 50µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 9 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ P7	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 175 pF @ 500 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 24W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO251-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 3A（Tc）	パッケージ/ケース TO-251-3短いリード、IPAK、TO-251AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPU80R2
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2オーム @ 940mA、10V

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