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なります。正確な仕様は、デー
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IPP65R125C7XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | IPP65R125C7XKSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | IPP65R125C7XKSA1 |
商品概要 | MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 18A（Tc） 101W（Tc） スルーホール PG-TO220-3 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | IPP65R125C7XKSA1 モデル |
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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 440µA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 35 nC @ 10 V |
シリーズ | Vgs（最大） ±20V |
梱包形態 チューブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1670 pF @ 400 V |
部品状況 購入可能最終日あり | 電力散逸（最大） 101W（Tc） |
FETタイプ | 動作温度 -55°C～150°C（TJ） |
技術 | 取り付けタイプ スルーホール |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V | サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3 |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | パッケージ/ケース |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V | ベース品番 |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 125ミリオーム @ 8.9A、10V |
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関連リソース
代替品リスト（2）
| 品番 | メーカー | 在庫数量 | DigiKey製品番号 | 単価 | 代替品のタイプ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | 212 | IPA65R125C7XKSA1-ND | ¥186.00000 | メーカー推奨品 |
| SIHP30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP30N60E-GE3-ND | ¥256.00000 | 類似 |
在庫：464個
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最終購入期限：2026/09/30
数量
価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥803.00000 | ¥803 |
| 50 | ¥415.72000 | ¥20,786 |
| 100 | ¥378.27000 | ¥37,827 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥803.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥883.30000 |
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8 品目
