Name: IPP60R299CPXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP60R299CPXKSA1-ND
Price: 586.3 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 440µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 29 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1100 pF @ 100 V
部品状況購入可能最終日あり	電力散逸（最大） 96W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPP60R299
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 299ミリオーム @ 6.6A、10V

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関連リソース

代替品リスト（12）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPP60R280P7XKSA1	Infineon Technologies	43	IPP60R280P7XKSA1-ND	¥432.00000	メーカー推奨品
STP13N80K5	STMicroelectronics	1,514	497-13779-5-ND	¥720.00000	直接
FCP11N60	onsemi	1,602	FCP11N60-ND	¥695.00000	類似
IRF830APBF	Vishay Siliconix	1,718	IRF830APBF-ND	¥515.00000	類似
IRFBC30APBF	Vishay Siliconix	732	IRFBC30APBF-ND	¥665.00000	類似