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Infineon Technologies
在庫あり: 878
単価 : ¥320.00000
データシート
Nチャンネル 800 V 6A(Tc) 7W(Tc) 面実装 PG-SOT223
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
Nチャンネル 800 V 6A(Tc) 7W(Tc) 面実装 PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R900P7ATMA1

DigiKey製品番号
IPN80R900P7ATMA1TR-ND - テープ&リール(TR)
IPN80R900P7ATMA1CT-ND - カット テープ(CT)
IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー
メーカー製品番号
IPN80R900P7ATMA1
商品概要
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 800 V 6A(Tc) 7W(Tc) 面実装 PG-SOT223
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
IPN80R900P7ATMA1 モデル
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
梱包形態
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
部品状況
生産中止品
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
800 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
900ミリオーム @ 2.2A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
3.5V @ 110µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
15 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
350 pF @ 500 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
7W(Tc)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
PG-SOT223
パッケージ/ケース
ベース品番
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生産中止品
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