Nチャンネル 800 V 4A(Tc) 7W(Tc) 面実装 PG-SOT223
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
Nチャンネル 800 V 4A(Tc) 7W(Tc) 面実装 PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R1K4P7ATMA1

DigiKey製品番号
IPN80R1K4P7ATMA1TR-ND - テープ&リール(TR)
IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND - カット テープ(CT)
IPN80R1K4P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー
メーカー製品番号
IPN80R1K4P7ATMA1
商品概要
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
メーカーの標準リードタイム
28 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 800 V 4A(Tc) 7W(Tc) 面実装 PG-SOT223
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
IPN80R1K4P7ATMA1 モデル
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
梱包形態
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
部品状況
アクティブ
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
800 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
1.4オーム @ 1.4A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
3.5V @ 70µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
10 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
250 pF @ 500 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
7W(Tc)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
PG-SOT223
パッケージ/ケース
ベース品番
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在庫:96個
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カット テープ(CT) & Digi-Reel®
数量 単価 請求価格
1¥244.00000¥244
10¥153.10000¥1,531
100¥101.30000¥10,130
500¥79.03000¥39,515
1,000¥71.85800¥71,858
*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金(¥800)が追加されます。
テープ&リール(TR)
数量 単価 請求価格
3,000¥55.33433¥166,003
6,000¥51.29150¥307,749
9,000¥49.69822¥447,284
メーカーの標準パッケージ
単価(消費税抜き):¥244.00000
単価(消費税込み):¥268.40000