Name: IPN70R1K4P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND
Price: 168.3 JPY
Availability: InStock

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IPN70R1K4P7SATMA1
DigiKey製品番号	IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPN70R1K4P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPN70R1K4P7SATMA1
商品概要	MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 700 V 4A（Tc） 6.2W（Tc）面実装 PG-SOT223
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPN70R1K4P7SATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 40µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 4.7 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ P7	Vgs（最大） ±16V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 158 pF @ 400 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 6.2W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 700 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 4A（Tc）	パッケージ/ケース TO-261-4、TO-261AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPN70R1
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.4オーム @ 700mA、10V