Name: IPN60R3K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R3K4CEATMA1TR-ND
Price: 132 JPY
Availability: InStock

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IPN60R3K4CEATMA1
DigiKey製品番号	IPN60R3K4CEATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPN60R3K4CEATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPN60R3K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPN60R3K4CEATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 2.6A（Tc） 5W（Tc）面実装 PG-SOT223-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPN60R3K4CEATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 40µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 4.6 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ CE	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 93 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 5W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 2.6A（Tc）	パッケージ/ケース TO-261-4、TO-261AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPN60R3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.4オーム @ 500mA、10V