Name: IPL60R360P6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R360P6SATMA1TR-ND
Price: 430.1 JPY
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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IPL60R360P6SATMA1
DigiKey製品番号	IPL60R360P6SATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPL60R360P6SATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPL60R360P6SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPL60R360P6SATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 11.3A（Tc） 89.3W（Tc）面実装 8-ThinPak（5x6）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPL60R360P6SATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 370µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 22 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ P6	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1010 pF @ 100 V
部品状況購入可能最終日あり	電力散逸（最大） 89.3W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-ThinPak（5x6）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11.3A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPL60R360
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 360ミリオーム @ 4.5A、10V