IPI60R099CPAAKSA1 Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 80 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ CoolMOS™	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2800 pF @ 100 V
梱包形態チューブ	電力散逸（最大） 255W（Tc）
部品状況生産中止品	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 31A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-262-3長リード、I2PAK、TO-262AA
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 105ミリオーム @ 18A、10V	ベース品番 IPI60R099
Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 1.2mA

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