Name: IPG20N10S4L35AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND
Price: 387.2 JPY
Availability: InStock

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IPG20N10S4L35AATMA1
DigiKey製品番号	448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPG20N10S4L35AATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPG20N10S4L35AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPG20N10S4L35AATMA1
商品概要	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
メーカーの標準リードタイム	35 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 100V 20A 43W 面実装、濡れ性フランク PG-TDSON-8-10
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPG20N10S4L35AATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.1V @ 16µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 17.4nC @ 10V
シリーズ OptiMOS™	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1105pF @ 25V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力 - 最大 43W
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
構成 2 Nチャンネル（デュアル）	認定 AEC-Q101
FET機能論理レベルゲート	取り付けタイプ面実装、濡れ性フランク
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100V	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 20A	サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-10
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 35ミリオーム @ 17A、10V	ベース品番 IPG20N