Name: IPG20N06S2L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND
Price: 337.7 JPY
Availability: InStock

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IPG20N06S2L35ATMA1
DigiKey製品番号	IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPG20N06S2L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPG20N06S2L35ATMA1
商品概要	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 55V 20A 65W 面実装 PG-TDSON-8-4
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPG20N06S2L35ATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
技術	MOSFET（金属酸化物）
構成	2 Nチャンネル（デュアル）
FET機能	論理レベルゲート
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	55V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	20A
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	35ミリオーム @ 15A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 27µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	23nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	790pF @ 25V
電力 - 最大	65W
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-4
ベース品番	IPG20N