Name: IPDQ65R099CFD7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1TR-ND
Price: 717.2 JPY
Availability: InStock

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IPDQ65R099CFD7XTMA1
DigiKey製品番号	448-IPDQ65R099CFD7XTMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPDQ65R099CFD7XTMA1
商品概要	HIGH POWER_NEW
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 29A（Tc） 186W（Tc）面実装 PG-HDSOP-22-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPDQ65R099CFD7XTMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	29A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	99ミリオーム @ 9.7A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.5V @ 480µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	39 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1942 pF @ 400 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	186W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-HDSOP-22-1
パッケージ/ケース	22-PowerBSOPモジュール
ベース品番	IPDQ65