IPD80R2K8CEBTMA1 Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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Infineon Technologies

在庫あり: 275

単価 : ¥307.00000

類似

onsemi

在庫あり: 2,343

単価 : ¥472.00000

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 120µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 12 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 290 pF @ 100 V
部品状況 DigiKeyでは取扱い終了	電力散逸（最大） 42W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 1.9A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPD80R
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.8オーム @ 1.1A、10V

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IPD80R2K8CEBTMA1

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPD80R2K8CEATMA1	Infineon Technologies	275	IPD80R2K8CEATMA1CT-ND	¥307.00000	直接
FCD3400N80Z	onsemi	2,343	FCD3400N80ZCT-ND	¥472.00000	類似