Name: IPD80R1K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K4CEATMA1TR-ND
Price: 411.4 JPY
Availability: InStock

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IPD80R1K4CEATMA1
DigiKey製品番号	IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD80R1K4CEATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 800 V 3.9A（Tc） 63W（Tc）面実装 PG-TO252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD80R1K4CEATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 240µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 23 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 570 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 63W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 3.9A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPD80R1
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.4オーム @ 2.3A、10V