Name: IPD80R1K0CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K0CEATMA1TR-ND
Price: 366.3 JPY
Availability: InStock

IPD80R1K0CEATMA1
DigiKey製品番号	IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD80R1K0CEATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 800 V 5.7A（Tc） 83W（Tc）面実装 PG-TO252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD80R1K0CEATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolMOS™ CE
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	新規設計向けに不適合
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	800 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	5.7A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	950ミリオーム @ 3.6A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.9V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	31 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	785 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	83W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO252-3
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	IPD80R1

単価（消費税抜き）:	¥333.00000
単価（消費税込み）:	¥366.30000

IPD80R1K0CEATMA1